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SiHP12N60E
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
30
25
20
TOP 15 V
14 V
13 V
12 V
11 V
10 V
9V
8V
3
2.5
2
I D = 6 A
T J = 25 °C
15
1.5
10
7V
6V
1
V GS = 10 V
5
0.5
0
5V
0
0
5
10
15
20
25
30
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
20
TOP 15 V
14 V
T J = 150 °C
10 000
16
13 V
12 V
7V
1000
C i ss
12
11 V
10 V
9V
8V
6V
100
C o ss
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C i ss = C g s + C gd , C d s S horted
C r ss = C gd
C o ss = C d s + C gd
8
5V
10
4
C r ss
0
1
0
5
10
15
20
25
30
0
100
200
300
400
500
600
30
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
V D S , Drain-to- S ource Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
24
V D S = 480 V
25
20
15
10
T J = 150 °C
20
16
12
8
V D S = 300 V
V D S = 120 V
T J = 25 °C
5
0
4
0
0
5
10
15
20
25
0
10
20
30
40
50
60
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Q g , Total G ate Charge (nC)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
S12-0646-Rev. C, 26-Mar-12
3
Document Number: 91479
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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